BPYJVT8.7/10KV3*150+3*25+1*70高壓電纜價格：

BPYJVT8.7/10KV3*150+3*25+1*70高壓電纜使用條件

3.1 運行條件

系統(tǒng)標稱電壓U₀/U             6/10kV

系統(tǒng)Z高運行電壓U_m                      12kV

系統(tǒng)頻率                     50Hz

系統(tǒng)接地方式              中點不接地系統(tǒng)，單相接地時允許持續(xù)運行8小時

3.2 運行要求

電纜導體的額定運行溫度           90℃

短路時電纜導體的Z高溫度          250℃

短路時間不超過5s

電纜彎曲半徑：

3.3 運行環(huán)境條件

環(huán)境溫度                     －20℃～＋45℃

3.4 敷設條件

敷設環(huán)境有直埋、溝槽、排管、溝道、橋架等多種方式。

具有聚氯乙烯護套的電纜，安裝時的環(huán)境溫度不宜低于0℃。

4.1導體

4.1.1導體采用TR狀態(tài)無氧銅桿制圓銅單線絞合緊壓而成，緊壓系數(shù)不小于0.9，導體符合GB/T3956規(guī)定。

4.1.2導體表面應光潔、無油污、無損傷屏蔽及絕緣的毛刺、銳邊以及凸起或斷裂的單線。

4.2導體屏蔽

4.2.1導體屏蔽為擠包交聯(lián)型半導電層。半導電層應均勻地包覆在導體上,表面光滑，無明顯絞線凸紋，不應有尖角、顆粒、燒焦或擦傷的痕跡。

4.2.2導體屏蔽標稱厚度為0.7mm，Z小厚度不小于0.6mm。

4.3 絕緣

4.3.1絕緣為XLPE型材料，擠包在導體上的絕緣性能符合GB/T12706.2的規(guī)定。

4.3.2絕緣標稱厚度為3.4mm，絕緣厚度平均值不小于規(guī)定的標稱值，絕緣任一點Z薄點的測量厚度不小于90%-0.1mm，絕緣偏心度≤10%。

4.3.3.導體屏蔽，絕緣和絕緣屏蔽采用三層共擠工藝，全封閉化學交聯(lián)。絕緣生產(chǎn)采用原材料凈化裝置，絕緣偏芯度控制采用在線X射線測偏裝置。

4.4絕緣屏蔽

4.4.1絕緣屏蔽為擠包半導電層，半導電層應均勻地包復在絕緣表面。絕緣表面光滑，不應有尖角，顆粒，燒焦或擦傷痕跡。

4.4.2 絕緣屏蔽為可剝離型。標稱厚度為0.7mm。

4.5 金屬屏蔽

4.5.1金屬屏蔽采用銅絲疏繞與銅帶重疊繞包結(jié)構(gòu)。

4.5.2金屬屏蔽前繞包一層半導電包帶保護層。

4.5.3銅絲疏繞采用36根直徑1.0mm細銅絲，標稱截面25mm²，短路電流3.6KA/s，銅絲連接采用焊接方式，焊接點不應有毛刺、銳邊。

4.5.4銅帶屏蔽采用軟銅帶重疊繞包組成，銅帶連接采用焊接方式。繞包圓整光滑，搭蓋率不小于10％，銅帶標稱厚度≥0.10mm。

4.5.5屏蔽外采用無紡布帶重疊繞包扎緊，包帶內(nèi)側(cè)放置一根標志色帶（分色：紅、綠、黃）。

4.6 分項隔離套

4.6.1絕緣屏蔽后擠包聚乙烯隔離套。

4.6.2隔離套標稱厚度1.2mm，其標稱厚度性能應符合GB/T12706.2以及GB2952的規(guī)定外，任一點的Z小厚度應不小于標稱值的85%-0.1mm。

4.7 成纜、填充及總屏蔽

4.7.1擠包隔離套后電纜線芯應成纜絞合，填充材料采用非吸濕性材料，緊密無空隙。

4.7.2纜芯外采用聚脂帶扎緊，三芯成纜后外形圓整。

4.7.3纜芯外采用銅帶總屏蔽，銅帶總屏蔽采用軟銅帶重疊繞包組成，銅帶連接采用焊接方式。繞包圓整光滑，搭蓋率不小于15％。

4.7.4總屏蔽外采用無紡布帶重疊繞包扎緊。

4.8 非金屬外護套.

4.8.1非金屬外護套由擠包阻燃PVC材料制成，其標稱厚度性能應符合GB/T12706.2以及GB2952的規(guī)定外，任一點的Z小厚度應不小于標稱值的80%-0.2mm。

4.8.2外護套表面圓整、光滑、緊密，其橫斷面無肉眼可見的砂眼、雜質(zhì)和氣泡以及未塑化好和焦化等現(xiàn)象。

4.9 電纜不圓度電纜Z大外徑－電纜Z小外徑電纜不圓度＝× 100電纜Z大外徑≤10％

4.10 電纜標志

4.10.1 三芯電纜三相絕緣線芯采用紅、黃、綠三色帶分別標識。

4.10.2 成品電纜的護套上應有制造廠名、產(chǎn)品型號、導體截面、額定電壓、制造年份和計米長

度標志等的連續(xù)標志，前后兩個完整連續(xù)標志間的距離應小于500mm，標志應字跡清楚,容易辨認、耐擦。

成品電纜按GB/T12706.2規(guī)定進行試驗.

5.1 例行試驗

5.1.1 導體直流電阻試驗

導體直流電阻試驗在每一電纜長度所有導體上進行測量。

5.1.2 局部放電試驗

局部放電試驗在三芯電纜的所有絕緣線芯上進行,電壓施加于每一導體和金屬屏蔽之間。在1.73Uo電壓下局部放電量不超過10pC。

5.1.3 交流電壓試驗

在每一導體和金屬屏蔽之間施加工頻電壓21kV，時間為5分鐘，不發(fā)生擊穿。